На 2 януари се навършиха 128 години от рождението на проф. Иван Странски – един от най-известните български учени в чужбина за миналия век, заради големия му научен принос в областта на физикохимията. Той е обявен за „Първомайстор на кристалния растеж“. Заедно с Националния политехнически музей в MediaBricks.bg правим пътешествие „В света на българските откриватели и изобретатели“ и днес ви припомняме научните достижения на проф. Иван Странски, който поставя основите на фундаменталната теория за растежа на кристалите, която му носи световна известност още през 30-те години на XX век. Той е и първият преподавател по физикохимия в България.
Информацията в рубриката „Българските изобретатели“ е предоставена от Националния политехнически музей – http://www.polytechnic-museum.com/
Иван Странски (1897 – 1979)
Завършва химия в Софийски университет (1922) и химия и физика в Берлинския (1925). Професор (1937) по физикохимия в СУ. През 1930 г. е поканен в Берлинския технически университет като Рокфелеров стипендиант. Декан на факултета по общи инженерни науки (1948-49), а след това – ректор за два мандата. Сътрудник по физикохимия и електрохимия в Кайзер Вилхем институт в Берлин от 1944 г. Директор (1953-62) на Фритц Хабер Институт – пост, заеман по-рано от нобеловите лауреати Макс фон Лауе и Алберт Айнщайн.
Професор в Свободния университет в Берлин (1945-62). Почетен сенатор на Техническия университет в Берлин (от 1962). Завършва живота си през 1979 г. на българска земя. Там където прави най-значителните си научни открития, донесли му световна слава. Погребан е в гробищния парк на Берлинския квартал Далем, в близост до Фриц Хабер Институт.
С какво е известен?
Поставя основите на фундаменталната теория за растежа на кристалите, наречена „молекулно-кинетична теория на кристалния растеж“. Използваните до тогава термодинамични методи не отчитат симетрията на решетката и силите на взаимодействие между атомите. Според тази теория новите атоми се притъкмяват към кристала на точно определено място от повърхността му, наречено „положение на полукристал“ – най-важното място на кристалната повърхност, което определя скоростта на растежа на кристалите.
Заедно с Радослав Каишев разработват метода на средните отделни работи, като разглеждат равновесието между един малък кристал и заобикалящата го течна или газова фаза и отчитат особената роля на атомите в ръбовете и върховете на кристала.
С Любомир Кръстанов предлагат механизма за растеж на един кристал върху подложка от друг кристал.
Теоретичните разработки с непосредствено практическо приложение:
- Електронна емисия на кристални повърхности, което води до създаването на автоемисионния микроскоп (FEM)
- В областта на металургията – увеличава се с 40% ефективността на рудодобива в Западна Германия, поради което на името на Странски е наречен изследователският институт към завода в Оберхаузен.
Признанията
Постиженията в областта на физикохимията и по-специално в разбирането на механизмите на кристалния растеж, и огромното им влияние за развитието на сродни научни дисциплини, създават на Иван Странски забележителен международен авторитет и прозвището „Първомайстор на кристалния растеж“. Два института – по физикохимия на Техническия университет в Берлин и Научно-изследователският институт в Оберхаузен носят името „Иван Странски“.
Лектор
Чете лекции по много различни научни дисциплини – колоидна химия, електрохимия, структура на молекулите, структура на матрицата, фази, катализа и абсорбция, дори диференциално и интегрално смятане.
Притежава невероятното умение да представя най трудните неща физически ясно, просто и нагледно. През 1925 г. започва да чете лекции по физикохимия и става първият преподавател по тази дисциплина в България.
„Иван Странски беше забележителен човек. Притежаваше завидна научна интуиция и фантазия, както и способността да вижда същественото в занимаващите го проблеми и да намира най-простия път за тяхното решаване. Най-ценното негово качество беше, че умееше да увлича млади хора“ Акад. Радослав Каишев.
Приложенията
Компютърните технологии се нуждаят от силициеви кристали с определена структура. Ако науката не познаваше механизмите на растеж на кристалите, нужното съвършенство на силициевите матрици в чиповете на процесорите и паметите на изчислителните машини би било недостижимо. Пример за технологично приложение на кристалите са магнитната лента и компютърният твърд диск. Те са покрити с микроскопични кристали на феромагнитни материали, с помощта на които „записват“ нужната информация. С усъвършенстване на тези покрития капацитетът на твърдите дискове в компютрите силно се увеличава.
