Наука

Българските изобретатели: Проф. Иван Странски – „първомайстор на кристалния растеж“

Проф. Иван Странски е един от най-известните български учени в чужбина за миналия век, заради големия му научен принос в областта на физикохимията. Той е обявен за „Първомайстор на кристалния растеж“. Заедно с Националния политехнически музей в MediaBricks.bg правим пътешествие „В света на българските откриватели и изобретатели“. Ще си припомним и ще научим повече за едни от най-известните български учени, които са променили света със своите изобретения.

Днес ви припомняме научните достижения на Проф. Иван Странски, който поставя основите на фундаменталната теория за растежа на кристалите, която му носи световна известност още през 30-те години на XX век. Той е и първият преподавател по физикохимия в България.

Информацията в рубриката „Българските изобретатели“ е предоставена от Националния политехнически музей – https://www.polytechnicsofia.com/

Иван Странски (1897 – 1979)

Завършва химия в Софийски университет (1922) и химия и физика в Берлинския (1925). Професор (1937) по физикохимия в СУ. През 1930 г. е поканен в Берлинския технически университет като Рокфелеров стипендиант. Декан на факултета по общи инженерни науки (1948-49), а след това – ректор за два мандата. Сътрудник по физикохимия и електрохимия в Кайзер Вилхем институт в Берлин от 1944 г. Директор (1953-62) на Фритц Хабер Институт – пост, заеман по-рано от нобеловите лауреати Макс фон Лауе и Алберт Айнщайн.

Професор в Свободния университет в Берлин (1945-62). Почетен сенатор на Техническия университет в Берлин (от 1962). Завършва живота си през 1979 г. на българска земя. Там където прави най-значителните си научни открития, донесли му световна слава. Погребан е в гробищния парк на Берлинския квартал Далем, в близост до Фриц Хабер Институт.

С какво е известен?

Поставя основите на фундаменталната теория за растежа на кристалите, наречена „молекулно-кинетична теория на кристалния растеж“. Използваните до тогава термодинамични методи не отчитат симетрията на решетката и силите на взаимодействие между атомите. Според тази теория новите атоми се притъкмяват към кристала на точно определено място от повърхността му, наречено „положение на полукристал“ – най-важното място на кристалната повърхност, което определя скоростта на растежа на кристалите.

Заедно с Радослав Каишев разработват метода на средните отделни работи, като разглеждат равновесието между един малък кристал и заобикалящата го течна или газова фаза и отчитат особената роля на атомите в ръбовете и върховете на кристала.

С Любомир Кръстанов предлагат механизма за растеж на един кристал върху подложка от друг кристал.

Теоретичните разработки с непосредствено практическо приложение:

  • Електронна емисия на кристални повърхности, което води до създаването на автоемисионния микроскоп (FEM)
  • В областта на металургията – увеличава се с 40% ефективността на рудодобива в Западна Германия, поради което на името на Странски е наречен изследователският институт към завода в Оберхаузен.

Признанията

Постиженията в областта на физикохимията и по-специално в разбирането на механизмите на кристалния растеж, и огромното им влияние за развитието на сродни научни дисциплини, създават на Иван Странски забележителен международен авторитет и прозвището „Първомайстор на кристалния растеж“. Два института – по физикохимия на Техническия университет в Берлин и Научно-изследователският институт в Оберхаузен носят името „Иван Странски“.

Лектор

Чете лекции по много различни научни дисциплини – колоидна химия, електрохимия, структура на молекулите, структура на матрицата, фази, катализа и абсорбция, дори диференциално и интегрално смятане.

Притежава невероятното умение да представя най трудните неща физически ясно, просто и нагледно. През 1925 г. започва да чете лекции по физикохимия и става първият преподавател по тази дисциплина в България.

„Иван Странски беше забележителен човек. Притежаваше завидна научна интуиция и фантазия, както и способността да вижда същественото в занимаващите го проблеми и да намира най-простия път за тяхното решаване. Най-ценното негово качество беше, че умееше да увлича млади хора“ Акад. Радослав Каишев.

Приложенията

Компютърните технологии се нуждаят от силициеви кристали с определена структура. Ако науката не познаваше механизмите на растеж на кристалите, нужното съвършенство на силициевите матрици в чиповете на процесорите и паметите на изчислителните машини би било недостижимо. Пример за технологично приложение на кристалите са магнитната лента и компютърният твърд диск. Те са покрити с микроскопични кристали на феромагнитни материали, с помощта на които „записват“ нужната информация.  С усъвършенстване на тези покрития капацитетът на твърдите дискове в компютрите силно се увеличава.

 

 

Може да подкрепите MediaBricks.bg чрез платформата Patreon Become a Patron!